(资料图片)
格隆汇7月4日丨有投资者向天岳先进(688234.SH)提问，“在刚过去的semicon论坛上某专家认为国内衬底做不了mosfet，做了也没有汽车厂商敢用，做的SBD都放在仓库里这一言论怎么看？专家认为这几年公司衬底良率一直没有进步，保持在30%左右的水平怎么看？”
天岳先进回复称，SiC半导体应用发展进入快车道，特别是在高压高功率领域优势更加凸显，新的应用场景不断涌现。在市场需求爆发的背景下，SiC的供需缺口也较大。作为国内技术最全面、国际化程度最好的碳化硅衬底厂商之一，公司持续加大研发力度，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率，加快产品创新，巩固和提升公司在行业中的领先地位。在本次Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况。公司通过液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。公司具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术。一方面公司同时能够大批量供应高品质导电型衬底和半决缘衬底，另一方面公司在晶体厚度、晶体尺寸上也持续实现快速的技术进步。同时，公司已与国际半导体知名企业加强合作，包括与国际功率半导体知名企业英飞凌、以及汽车电子领域知名企业博世集团等全球知名企业都开展了合作。公司产品品质获得了国内外客户的高度认可，订单交付持续快速攀升。目前下游市场对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势，公司上海临港(600848)工厂也进入了产品交付阶段，获得市场快速发展的机遇。公司将持续扩大产能，提高产品品质和良率，为行业提供最高品质的衬底产品。
（责任编辑：王治强 HF013）标签：
